تويت
أكاديميا - كولنز - معاجم الجيب العلمية - الفيزياء - انكليزي - فرنسي - عربي الحرف ١_ S
satellite motion
engrenage m des sutellites artificiels
حركة الأقمار الاصطناعية . أنظر orbit .
saturation
saturation f
إشباع . حالة النظام عند اكتمال عملية ما. وهكذا يكون المحلول مشبعاً عندما لا يستطيع المذيب استيعاب المزيد من المادة المذابة. والهواء المشبع لا يستطيع الاحتفاظ بالمزيد من البخار. ولا يمكن زيادة شدة مغنطة المادة المشبعة مغنطيسياً .
أنظر domains .
scalar
scalaire
سلمي. عددي. قياس لــه حجم size وليس لـه اتجاه. من أمثلته : الكتلة والحجم volume والكثافة والطاقة ودرجة الحرارة. ومن ناحية أخرى، فإننا نحتاج إلى ذكر الاتجاه بالإضافة إلى الحجم. لوصف المتجه vector .
scaler
échelle f de comptage
مرقم. جهاز تسمح داراته لمقياس الأمبير بـإظهار معدل التغير و / أو انتقال الطاقة في الإشعاع . ويمكننا أن نستعمل هذا المرقم بدلاً من العداد counter المستخدم مع صمام جيجر - مولر Geiger - Muller tube .
semiconductor
semiconducteur m
شبه ناقل . مادة قادرة على نقل الشحنة بعض الشيء، أقل مما يفعل المعدن وأكثر مما يفعل العازل . أنظر conduction, electric . وتقل مقاومة شبه الناقل بارتفاع درجة الحرارة. كما أنها تقل إذا كان شبه الناقل يحتوي على شوائب معينة .
وأكثر أشباه النواقل شيوعاً السليكون والجرمانيوم .
تفقد ذرات قليلة في بلورات هاتين المادتين إلكتروناتها، فتتجول هذه الإلكترونات في أرجاء البلورة كالإلكترونات في الغاز الإلكتروني للمعدن metal . وتؤمن إضافة كميات صغيرة من النوع الصحيح من الشوائب مزيداً من حوامل الشحنة charge carrier .
ويحمل شبه الناقل من النوع n - type an إلكترونات سالبة negative كثيرة، أما المادة من النوع p - p type فتنقل الشحنة بواسطة ثقوب موجبة) positive . يمكننا الافتراض بأن الثقب hole إلكترون مفقود .
والوصلة الثنائية diode هي وصلة p - n p - n junction، حيث تكون مادة من النوع p على تماس وثيق مع موقع من النوع .. ويتم تدفق الإلكترونات والثقوب عبر الوصلة لفترة زمنية قصيرة، مما يُطلق فلطية تسمح للتيار بالمرور باتجاه واحد فقط .
320
ذرة محايدة .
شاردة إيجابية (تحمل «ثقباً»)
إلكترون سالب حر 7
سليكون نقي
سليكون من النوع n
سليكون من النوع P
ويمكننا النظر إلى الترانزستور transistor على أنه وصلتا p - n موضوعتان ظهرا لظهر.
أنظر أيضاً integrated circuit .
series circuits
circuits mpl en série
دارات على التسلسل . مكونات components كهربائية موصولة في دارة بحيث يكون هنالك التيار current نفسه في كل منها . وتكون الفلطية voltage بين نهايتي المجموعة مساوية لمجموع القلطيات بين نهايتي كل مكون. وتكون المقاومة R لمجموعة المقاومات في (أ) أدناه، مساوية لمجموع مقاوماتها، أي: R=R1+R2+R3
وفي حالة وجود مواسعات على التسلسل، كما في (ب)، يكون 1/C=1/C1+1/C2+1/C3 .
( أ ) I = current
V = V1 + V2 + V3
IR = IR1+ IR2+ IR3
R = R₁+ R2 + R3
( ب ) شحنة = 0
V = V1 + V2 + V3
Q/C = Q/C₁ + Q/C2 + Q/C3
1/C = 1/C1 + 1/2 + 1/C3
قارن مع parallel circuits .
satellite motion
engrenage m des sutellites artificiels
حركة الأقمار الاصطناعية . أنظر orbit .
saturation
saturation f
إشباع . حالة النظام عند اكتمال عملية ما. وهكذا يكون المحلول مشبعاً عندما لا يستطيع المذيب استيعاب المزيد من المادة المذابة. والهواء المشبع لا يستطيع الاحتفاظ بالمزيد من البخار. ولا يمكن زيادة شدة مغنطة المادة المشبعة مغنطيسياً .
أنظر domains .
scalar
scalaire
سلمي. عددي. قياس لــه حجم size وليس لـه اتجاه. من أمثلته : الكتلة والحجم volume والكثافة والطاقة ودرجة الحرارة. ومن ناحية أخرى، فإننا نحتاج إلى ذكر الاتجاه بالإضافة إلى الحجم. لوصف المتجه vector .
scaler
échelle f de comptage
مرقم. جهاز تسمح داراته لمقياس الأمبير بـإظهار معدل التغير و / أو انتقال الطاقة في الإشعاع . ويمكننا أن نستعمل هذا المرقم بدلاً من العداد counter المستخدم مع صمام جيجر - مولر Geiger - Muller tube .
semiconductor
semiconducteur m
شبه ناقل . مادة قادرة على نقل الشحنة بعض الشيء، أقل مما يفعل المعدن وأكثر مما يفعل العازل . أنظر conduction, electric . وتقل مقاومة شبه الناقل بارتفاع درجة الحرارة. كما أنها تقل إذا كان شبه الناقل يحتوي على شوائب معينة .
وأكثر أشباه النواقل شيوعاً السليكون والجرمانيوم .
تفقد ذرات قليلة في بلورات هاتين المادتين إلكتروناتها، فتتجول هذه الإلكترونات في أرجاء البلورة كالإلكترونات في الغاز الإلكتروني للمعدن metal . وتؤمن إضافة كميات صغيرة من النوع الصحيح من الشوائب مزيداً من حوامل الشحنة charge carrier .
ويحمل شبه الناقل من النوع n - type an إلكترونات سالبة negative كثيرة، أما المادة من النوع p - p type فتنقل الشحنة بواسطة ثقوب موجبة) positive . يمكننا الافتراض بأن الثقب hole إلكترون مفقود .
والوصلة الثنائية diode هي وصلة p - n p - n junction، حيث تكون مادة من النوع p على تماس وثيق مع موقع من النوع .. ويتم تدفق الإلكترونات والثقوب عبر الوصلة لفترة زمنية قصيرة، مما يُطلق فلطية تسمح للتيار بالمرور باتجاه واحد فقط .
320
ذرة محايدة .
شاردة إيجابية (تحمل «ثقباً»)
إلكترون سالب حر 7
سليكون نقي
سليكون من النوع n
سليكون من النوع P
ويمكننا النظر إلى الترانزستور transistor على أنه وصلتا p - n موضوعتان ظهرا لظهر.
أنظر أيضاً integrated circuit .
series circuits
circuits mpl en série
دارات على التسلسل . مكونات components كهربائية موصولة في دارة بحيث يكون هنالك التيار current نفسه في كل منها . وتكون الفلطية voltage بين نهايتي المجموعة مساوية لمجموع القلطيات بين نهايتي كل مكون. وتكون المقاومة R لمجموعة المقاومات في (أ) أدناه، مساوية لمجموع مقاوماتها، أي: R=R1+R2+R3
وفي حالة وجود مواسعات على التسلسل، كما في (ب)، يكون 1/C=1/C1+1/C2+1/C3 .
( أ ) I = current
V = V1 + V2 + V3
IR = IR1+ IR2+ IR3
R = R₁+ R2 + R3
( ب ) شحنة = 0
V = V1 + V2 + V3
Q/C = Q/C₁ + Q/C2 + Q/C3
1/C = 1/C1 + 1/2 + 1/C3
قارن مع parallel circuits .
تعليق